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零件圖片(僅供參考)
規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號(hào):SPB80N06S-08制造商:Infineon Technologies(英飛凌)描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK系列:SIPMOSFET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 80A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 240μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):187nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3660pF @ 25V功率 - 最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3SPB80N06S-08,英飛凌(Infineon)產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
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