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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SPB18P06P G

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：860pF @ 25V

功率 - 最大值：81.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2

SPB18P06P G，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SPB18P06P G

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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