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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：SGB02N60ATMA1

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：IGBT 600V 6A 30W TO263-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：6A

電流-集電極脈沖(Icm)：12A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2A

功率-最大值：30W

開關(guān)能量：64μJ

輸入類型：標準

柵極電荷：14nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：20ns/259ns

測試條件：400V，2A，118 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

SGB02N60ATMA1，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：SGB02N60ATMA1

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 6A 30W TO263-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

點擊此處查詢SGB02N60ATMA1的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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