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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：IRF6662TR1PBF

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：HEXFET?

零件狀態(tài)：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.3A（Ta），47A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：DIRECTFET? MZ

IRF6662TR1PBF，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：IRF6662TR1PBF

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢IRF6662TR1PBF的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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