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規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPI80N06S3L06XK制造商：Infineon Technologies（英飛凌）描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：OptiMOS?零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：55V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：80A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5.9 毫歐 @ 56A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 80μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：196nC @ 10VVgs（最大值）：±16V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：9417pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：136W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：PG-TO262-3IPI80N06S3L06XK，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
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