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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：IPI80N04S2-04

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：170nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5300pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：PG-TO262-3

IPI80N04S2-04，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：IPI80N04S2-04

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數：MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

產品應用分類：單端場效應管

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