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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IPI65R110CFD

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：31.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：110 毫歐 @ 12.7A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.3mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：118nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3240pF @ 100V

功率 - 最大值：277.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：PG-TO262-3

IPI65R110CFD，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IPI65R110CFD

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262

產(chǎn)品應用分類：單端場效應管

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