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零件圖片（僅供參考）
規(guī)格參數(shù)
制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPD60R360P7ATMA1制造商：Infineon Technologies（英飛凌）描述：MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：CoolMOS? P7零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：9A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 2.7A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 140μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：555pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：41W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PG-TO252-3IPD60R360P7ATMA1，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。
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