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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IPD50R650CE

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：500V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：650 毫歐 @ 1.8A, 13V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：342pF @ 100V

功率 - 最大值：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

IPD50R650CE，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IPD50R650CE

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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