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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產品型號：IPD33CN10N G

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：27A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 27A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 29μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1570pF @ 50V

功率 - 最大值：58W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：PG-TO252-3

IPD33CN10N G，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IPD33CN10N G

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

產品應用分類：單端場效應管

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