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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產品型號：IPB60R299CP

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-263

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：299 毫歐 @ 6.6A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 100V

功率 - 最大值：96W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-3

IPB60R299CP，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IPB60R299CP

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 11A TO-263

產品應用分類：單端場效應管

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