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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產品型號：IPB60R190P6ATMA1

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：CoolMOS? P6

零件狀態(tài)：停產

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：20.2A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：190 毫歐 @ 7.6A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 630μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1750pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：151W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK（TO-263AB）

IPB60R190P6ATMA1，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IPB60R190P6ATMA1

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢IPB60R190P6ATMA1的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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