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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPB021N06N3 G

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：120A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 196μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 30V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-2

IPB021N06N3 G，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號(hào)：IPB021N06N3 G

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

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