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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：IPA65R190E6

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：73nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1620pF @ 100V

功率 - 最大值：34W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應商器件封裝：PG-TO220 整包

IPA65R190E6，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：IPA65R190E6

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

產品應用分類：單端場效應管

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