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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BUZ30A H

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

系列：SIPMOS

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3

BUZ30A H，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BUZ30A H

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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