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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BSO612CVGHUMA1

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：SIPMOS?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3A，2A

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 3A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：340pF @ 25V

功率-最大值：2W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

BSO612CVGHUMA1，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BSO612CVGHUMA1

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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