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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BSO211P H

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

系列：OptiMOS?

FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：4A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：67 毫歐 @ 4.6A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1095pF @ 15V

功率 - 最大值：1.6W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8

BSO211P H，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BSO211P H

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列

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