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英飛凌代理商全球庫存查詢及產(chǎn)品技術資料下載

我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供英飛凌 BSC320N20NS3 G及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BSC320N20NS3 G

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：36A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 36A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 90μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2350pF @ 100V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

BSC320N20NS3 G，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BSC320N20NS3 G

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8

產(chǎn)品應用分類：單端場效應管

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