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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BSC018NE2LSATMA1

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：OptiMOS?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：29A（Ta），100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.8 毫歐 @ 30A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：39nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2800pF @ 12V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），69W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PG-TDSON-8-1

BSC018NE2LSATMA1，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BSC018NE2LSATMA1

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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