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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產品型號：BSB028N06NN3 G

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：22A（Ta），90A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.8 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 102μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：143nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12000pF @ 30V

功率 - 最大值：78W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-WDSON

供應商器件封裝：MG-WDSON-2，CanPAK M

BSB028N06NN3 G，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BSB028N06NN3 G

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

產品應用分類：單端場效應管

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