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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：AIHD04N60RFATMA1

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：IC DISCRETE 600V TO252-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：8A

電流-集電極脈沖(Icm)：12A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，4A

功率-最大值：75W

開關(guān)能量：60μJ（開），50μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：27nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：12ns/116ns

測試條件：400V，4A，43 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

AIHD04N60RFATMA1，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：AIHD04N60RFATMA1

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC DISCRETE 600V TO252-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

點擊此處查詢AIHD04N60RFATMA1的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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